ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > HBDM60V600W-7
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HBDM60V600W-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HBDM60V600W-7价格参考。Diodes Inc.HBDM60V600W-7封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载HBDM60V600W-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HBDM60V600W-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的HBDM60V600W-7是一款双极晶体管(BJT)阵列,广泛应用于需要高效、可靠开关和功率管理的电子设备中。该器件具有多个独立的双极晶体管单元,能够在高电压和大电流条件下稳定工作,适用于多种应用场景。 1. 电源管理 HBDM60V600W-7常用于电源管理系统中,特别是在需要高效开关操作的场合。例如,在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)等应用中,该器件能够提供稳定的电流控制,确保电源系统的高效运行。其低饱和电压和高电流承载能力使其在这些应用中表现出色。 2. 电机驱动 该器件也适用于电机驱动电路,尤其是小功率到中功率的电机控制系统。它可以在电机启动、停止或调速过程中提供精确的电流控制,确保电机平稳运行。由于其快速响应特性和低功耗,HBDM60V600W-7能够有效减少电机驱动中的能量损耗,延长系统的使用寿命。 3. 保护电路 HBDM60V600W-7还可以用于过流保护、短路保护等安全电路中。通过检测异常电流并迅速切断电源,它可以有效防止系统因过载或短路而损坏。此外,该器件的高耐压特性使其能够在高压环境下稳定工作,进一步提升了系统的安全性。 4. 音频放大器 在音频设备中,HBDM60V600W-7可以作为音频放大器的输出级晶体管,用于驱动扬声器或其他音频负载。其低失真和高线性度特性能够保证音频信号的高质量传输,提供清晰、无噪声的音质表现。 5. 工业自动化 在工业自动化领域,该器件可用于各种传感器接口、执行器控制和信号调理电路中。其高可靠性和稳定性使得它能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作,适用于工厂自动化、机器人控制等应用场景。 总之,HBDM60V600W-7凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、保护电路、音频放大器和工业自动化等领域,为各类电子设备提供了高效的开关和功率管理解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363两极晶体管 - BJT 200mW Half H-Bridge |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated HBDM60V600W-7- |
数据手册 | |
产品型号 | HBDM60V600W-7 |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | HBDM60V600WDIDKR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | - 5.5 V, 6 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A at NPN, 0.6 A at PNP |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 65V,60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA,600mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
系列 | HBDM60V |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V, + 65 V |
集电极—基极电压VCBO | - 60 V, + 80 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.5 V |
集电极连续电流 | - 600 mA, 500 mA |
频率-跃迁 | 100MHz |