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SI4386DY-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4386DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4386DY-T1-E3价格参考。VishaySI4386DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.47W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4386DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4386DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4386DY-T1-E3 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 SI4386DY-T1-E3 适用于多种电源管理系统,如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和电池充电电路。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗,提高电源转换效率。此外,该器件的快速开关特性使其在高频应用中表现出色,适合用于笔记本电脑、智能手机等便携式设备的电源管理模块。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,SI4386DY-T1-E3 可作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高电机驱动系统的效率,并降低发热,延长系统寿命。典型应用包括风扇、水泵、伺服电机等。 3. 负载开关 该 MOSFET 还可以作为负载开关使用,用于控制电路中的负载通断。例如,在 USB 端口保护电路中,SI4386DY-T1-E3 可以防止过流、短路等异常情况,确保系统的安全性和稳定性。其快速响应时间使得它能够在故障发生时迅速切断电流,保护下游电路。 4. 电池保护 在电池管理系统(BMS)中,SI4386DY-T1-E3 可用于电池充放电保护电路。通过精确控制电池的充放电路径,防止电池过充、过放以及短路等问题,从而延长电池寿命并提高安全性。常见于锂电池组、智能手表、电动工具等产品中。 5. 信号切换 在一些需要高速信号切换的应用场景中,如音频放大器、数据通信设备等,SI4386DY-T1-E3 的低电容和快速开关特性使其成为理想的信号切换元件。它可以实现对不同信号路径的快速切换,同时保持信号的完整性。 综上所述,SI4386DY-T1-E3 凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、负载开关、电池保护和信号切换等多个领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOICMOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73109 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4386DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?73109点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | SI4386DY-T1-E3SI4386DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.47 W |
| Pd-功率耗散 | 1.47 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4386DY-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 1.47W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4386DY-E3 |