Datasheet下载- 型号： IRFZ20PBF
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ20PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ20PBF价格参考。VishayIRFZ20PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFZ20PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ20PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFZ20PBF是一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源开关控制：适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统，用于高效控制电源通断。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，实现对电机启停和方向的控制。 3. 电池供电设备：广泛应用于笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中，用于电池充放电管理和电源切换。 4. 工业控制：在工业自动化设备中用于继电器替代、信号切换和低电压控制高电流负载。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、车灯控制、电动窗等应用，具备良好的稳定性和耐温性能。 该MOSFET采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合中低功率应用。封装形式为TO-220AB，便于散热和安装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 15A TO-220ABMOSFET N-Chan 50V 17 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFZ20PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ20PBFIRFZ20PBF |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFZ20PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 100 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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