ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > 2N7002DW-7-F
Datasheet下载- 型号： 2N7002DW-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002DW-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002DW-7-F价格参考￥0.17-￥0.23。Diodes Inc.2N7002DW-7-F封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 230mA 310mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载2N7002DW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002DW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002DW-7-F是Diodes Incorporated生产的一款双N沟道MOSFET阵列，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件采用SOT-363封装，具有小型化、高集成度的特点，适用于空间受限的便携式电子设备。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现低功耗待机与高效能切换。 2. 信号切换与路由：在通信电路中作为模拟或数字信号的开关使用，例如音频切换、I²C总线缓冲或多路复用系统。 3. 逻辑电平转换：用于不同电压域之间的信号转换，如将3.3V逻辑信号转换为5V系统兼容信号，广泛应用于微控制器接口电路。 4. LED驱动控制：在小型显示屏背光或状态指示灯中作为开关元件，实现对LED的快速响应与精确控制。 5. 电机驱动与继电器驱动电路：在低功率电机或电磁继电器的驱动中作为控制开关，提供隔离与放大功能。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性，适合高频、低功耗应用。同时，其双MOSFET结构便于构建互补或并联电路，提升设计灵活性。由于采用环保无铅封装，符合RoHS标准，适用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域的紧凑型设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 230MA SOT-363MOSFET 60V 200mW |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
| Id-连续漏极电流 | 115 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated 2N7002DW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002DW-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.2 W |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 70 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | 2N7002DW-FDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.08 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 230mA |
| 系列 | 2N7002D |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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