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  • 型号: MBT3904DW1T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MBT3904DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT3904DW1T1G价格参考¥0.20-¥0.20。ON SemiconductorMBT3904DW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MBT3904DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBT3904DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MBT3904DW1T1G 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列。该型号属于小型信号 NPN 晶体管阵列,具有多个晶体管单元集成在一个封装内,适用于多种低功率和信号处理应用场景。

 应用场景:

1. 音频放大器:
   MBT3904DW1T1G 适合用于音频放大器的前置放大级或驱动级。由于其低噪声特性和良好的线性度,可以在音频电路中提供高质量的信号放大,确保音频信号的清晰传输。

2. 模拟开关和多路复用器:
   该晶体管阵列可以用于构建模拟开关或多路复用器,通过控制多个输入信号的选择和切换,适用于通信设备、测试仪器等需要信号选择的应用场合。

3. 传感器信号调理:
   在传感器信号调理电路中,MBT3904DW1T1G 可以用于放大微弱的传感器输出信号,如温度传感器、压力传感器等。其高增益和低噪声特性有助于提高信号的质量和精度。

4. 电源管理:
   该晶体管阵列还可以用于简单的电源管理电路,如低压差稳压器(LDO)中的电流镜像电路或反馈回路,帮助稳定输出电压并提高电源效率。

5. 逻辑电平转换:
   在需要进行不同逻辑电平转换的场合,如将 TTL 电平转换为 CMOS 电平,MBT3904DW1T1G 可以作为电平转换的核心元件,确保信号的正确传输和转换。

6. 脉宽调制(PWM)驱动:
   在一些小功率电机驱动或 LED 调光应用中,MBT3904DW1T1G 可以用于实现 PWM 控制,通过快速开关晶体管来调节输出功率或亮度。

7. 保护电路:
   该晶体管阵列还可以用于设计过流保护、短路保护等电路,通过检测异常电流并及时切断电路,保护系统免受损坏。

总的来说,MBT3904DW1T1G 以其紧凑的封装和优异的性能,广泛应用于各种低功率电子设备中,特别是在需要多通道信号处理和放大的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL NPN 40V 200MA SC88两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MBT3904DW1T1G-

数据手册

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产品型号

MBT3904DW1T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 10mA,1V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

其它名称

MBT3904DW1T1GOSDKR

功率-最大值

150mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

625 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

40

系列

MBT3904DW1

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

- 35 V

集电极—基极电压VCBO

- 55 V

集电极—射极饱和电压

0.3 V

集电极连续电流

- 2 A

零件号别名

MBT3904DW1T3G

频率-跃迁

300MHz

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