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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBT3904DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT3904DW1T1G价格参考¥0.20-¥0.20。ON SemiconductorMBT3904DW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MBT3904DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBT3904DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBT3904DW1T1G 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列。该型号属于小型信号 NPN 晶体管阵列,具有多个晶体管单元集成在一个封装内,适用于多种低功率和信号处理应用场景。 应用场景: 1. 音频放大器: MBT3904DW1T1G 适合用于音频放大器的前置放大级或驱动级。由于其低噪声特性和良好的线性度,可以在音频电路中提供高质量的信号放大,确保音频信号的清晰传输。 2. 模拟开关和多路复用器: 该晶体管阵列可以用于构建模拟开关或多路复用器,通过控制多个输入信号的选择和切换,适用于通信设备、测试仪器等需要信号选择的应用场合。 3. 传感器信号调理: 在传感器信号调理电路中,MBT3904DW1T1G 可以用于放大微弱的传感器输出信号,如温度传感器、压力传感器等。其高增益和低噪声特性有助于提高信号的质量和精度。 4. 电源管理: 该晶体管阵列还可以用于简单的电源管理电路,如低压差稳压器(LDO)中的电流镜像电路或反馈回路,帮助稳定输出电压并提高电源效率。 5. 逻辑电平转换: 在需要进行不同逻辑电平转换的场合,如将 TTL 电平转换为 CMOS 电平,MBT3904DW1T1G 可以作为电平转换的核心元件,确保信号的正确传输和转换。 6. 脉宽调制(PWM)驱动: 在一些小功率电机驱动或 LED 调光应用中,MBT3904DW1T1G 可以用于实现 PWM 控制,通过快速开关晶体管来调节输出功率或亮度。 7. 保护电路: 该晶体管阵列还可以用于设计过流保护、短路保护等电路,通过检测异常电流并及时切断电路,保护系统免受损坏。 总的来说,MBT3904DW1T1G 以其紧凑的封装和优异的性能,广泛应用于各种低功率电子设备中,特别是在需要多通道信号处理和放大的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA SC88两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MBT3904DW1T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MBT3904DW1T1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | MBT3904DW1T1GOSDKR |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-70-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
系列 | MBT3904DW1 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 35 V |
集电极—基极电压VCBO | - 55 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
集电极连续电流 | - 2 A |
零件号别名 | MBT3904DW1T3G |
频率-跃迁 | 300MHz |