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IRLR7843TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR7843TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR7843TRPBF价格参考¥7.13-¥9.96。International RectifierIRLR7843TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 161A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak。您可以下载IRLR7843TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR7843TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRLR7843TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于需要高效、低导通电阻开关的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中,如笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块,因其低导通电阻(典型值约4.5mΩ)可减少能量损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机等驱动电路,常见于电动工具、家用电器(如风扇、洗衣机)和工业自动化设备中,能够承受较高的脉冲电流,具备良好的热稳定性。 3. 电池管理系统:在便携式设备和电动交通工具的电池保护电路中,作为充放电控制开关,提供快速响应和低功耗性能。 4. 负载开关与电源切换:用于高电流负载的通断控制,如LED驱动、热插拔电源模块等,支持快速开关且发热小。 5. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)和小型逆变器中,用于功率转换级,提升系统整体能效。 IRLR7843TRPBF采用TO-252(D-Pak)封装,适合表面贴装,具有良好的散热性能,工作温度范围宽(-55°C至+175°C),可靠性高,是工业、消费电子和汽车辅助系统中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 4.38 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 161A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 161 A |
| Id-连续漏极电流 | 161 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR7843TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR7843TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4380pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRLR7843TRPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 功率耗散 | 140 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 34 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 37 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 161 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 161A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |