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Datasheet下载- 型号： IRFZ44NSPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ44NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ44NSPBF价格参考。International RectifierIRFZ44NSPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK。您可以下载IRFZ44NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ44NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFZ44NSPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和高开关速度的特点。其应用场景广泛，尤其适用于需要高效功率转换和控制的场合。 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：IRFZ44NSPBF常用于开关电源的设计中，作为主开关管或同步整流器。它的低导通电阻（Rds(on)）可以减少导通损耗，提高电源效率。 - 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：在降压、升压或升降压转换器中，该MOSFET可用于实现高效的电压调节，特别适合于电池供电设备或汽车电子系统中的电压转换。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）：IRFZ44NSPBF可用于驱动小型无刷直流电机，尤其是在电动工具、无人机、机器人等应用中。它能够快速切换电流方向，确保电机的精确控制。 - 步进电机驱动：在步进电机控制系统中，该MOSFET可以作为功率级的一部分，帮助实现精确的速度和位置控制。 3. 逆变器与太阳能系统 - 光伏逆变器：在太阳能光伏发电系统中，IRFZ44NSPBF可以用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，供给家庭或工业用电设备使用。其低损耗特性有助于提高系统的整体效率。 - 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，该MOSFET可用于电池充电和放电管理，确保电力供应的稳定性和可靠性。 4. 消费电子 - 音频放大器：在某些D类音频放大器中，IRFZ44NSPBF可以用作输出级的开关元件，提供高效的音频信号放大，同时减少热量产生。 - LED驱动器：在大功率LED照明系统中，该MOSFET可以用于调光控制，确保LED灯的亮度调节平滑且高效。 5. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器（PLC）：在工业自动化系统中，IRFZ44NSPBF可以用于控制继电器、电磁阀等负载，实现对生产线的精确控制。 - 伺服控制系统：在伺服电机控制系统中，该MOSFET可以用于功率级，确保电机的快速响应和高精度定位。 总之，IRFZ44NSPBF凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效功率转换和精确控制的场景下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 17.5mOhms 16.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 49 A |
| Id-连续漏极电流 | 49 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ44NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ44NSPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1470pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFZ44NSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 42 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 49 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 49A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfz44ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfz44ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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