Datasheet下载- 型号： SI4465ADY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4465ADY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4465ADY-T1-GE3价格参考。VishaySI4465ADY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4465ADY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4465ADY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4465ADY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（最高-30V）和优异的热性能，适合用于负载开关、电源管理系统、DC-DC 转换器、电机控制和电池供电设备中。 该 MOSFET 常见于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品中的电源管理模块，用于高效控制电源通断，减少能量损耗。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、LED 照明驱动和电池管理系统（BMS），以提高能效和可靠性。 SI4465ADY-T1-GE3 采用小型 TDFN 封装，适合高密度 PCB 设计，适用于需要节省空间和高性能的现代电子设备。其高可靠性和良好的导通特性使其在工业控制、电源适配器及负载开关应用中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4465ADY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 14A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4465ADY-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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