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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDF10N60ZH由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDF10N60ZH价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorNDF10N60ZH封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDF10N60ZH参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDF10N60ZH 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NDF10N60ZH的ON Semiconductor(安森美半导体)MOSFET,属于N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS),用于提高转换效率和减小体积。 2. 电机驱动:适用于工业自动化设备、电动工具及家电中的电机控制电路,具备良好的导通损耗和开关损耗特性。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等,支持高效能电能转换。 4. 充电器设计:如电池充电器、电动车充电模块,得益于其高耐压(600V)和良好的热稳定性。 5. LED照明驱动:在高功率LED照明系统中作为开关元件,提升能效并延长使用寿命。 该器件具备低导通电阻、高击穿电压(600V)和良好的封装散热性能,适合中高功率开关应用,广泛用于工业、消费电子和新能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FPMOSFET NFET 600V 10A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDF10N60ZH- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDF10N60ZH |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| Qg-GateCharge | 47 nC |
| Qg-栅极电荷 | 47 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 650 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 31 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1645pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 650 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 7.9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
| 配置 | Single |