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- 型号： PSMN8R5-108ESQ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN8R5-108ESQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN8R5-108ESQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN8R5-108ESQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN8R5-108ESQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN8R5-108ESQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN8R5-108ESQ 是由 NXP USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道增强型 MOSFET，属于晶体管中的功率 MOSFET 单管类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中，作为主开关或同步整流元件，提升转换效率并降低功耗。 2. 电机驱动：适用于工业控制、电动工具及家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路，能够承受频繁开关和较高负载电流。 3. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备和电动车辆的电池保护电路中，用于充放电控制与电流切换，保障系统安全运行。 4. 照明系统：应用于 LED 驱动电源中，实现高效恒流控制，尤其适合大功率照明场景。 5. 汽车电子：由于具备良好的热稳定性和可靠性，可用于车载电源、车身控制模块（如车窗升降、座椅调节）等汽车低压功率应用。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑、显示器和适配器中，用于电压调节和负载开关功能。 PSMN8R5-108ESQ 采用先进的封装技术，具有优良的散热性能，适合紧凑型设计。其100V耐压和大电流能力使其在多种中高功率场景中表现优异，是追求高效率和小型化设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN8R5-108ESQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5512pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 111nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-11432-5 |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 108V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tj） |
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