ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZVN4206A
Datasheet下载- 型号： ZVN4206A
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4206A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4206A价格参考。Diodes Inc.ZVN4206A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3。您可以下载ZVN4206A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4206A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVN4206A是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理：ZVN4206A常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中，作为开关元件或同步整流器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率，特别适合于便携式设备和电池供电系统。 2. 电机驱动：在小型电机驱动应用中，如风扇、泵、玩具车等，ZVN4206A可以用作驱动晶体管，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低功耗使其成为这些应用的理想选择。 3. 负载开关：在需要频繁切换负载的应用中，如USB充电器、智能家电等，ZVN4206A可以作为负载开关，实现对负载的精确控制，确保系统的稳定性和安全性。 4. 信号切换：在音频设备、通信设备等领域，ZVN4206A可用于信号路径的切换，例如在多路复用器或模拟开关中，实现不同信号源之间的快速切换，同时保持低噪声和高可靠性。 5. 保护电路：在过流保护、短路保护等电路设计中，ZVN4206A可以作为保护开关，检测到异常电流时迅速切断电路，防止损坏其他元件。其低栅极电荷和快速响应时间使得它在保护电路中表现出色。 6. 消费电子：ZVN4206A广泛应用于各种消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源管理、接口保护等功能模块，提供高效、可靠的性能。 7. 工业控制：在工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等，ZVN4206A可用于信号处理和控制逻辑，确保系统的稳定运行。 总之，ZVN4206A凭借其优异的电气特性，适用于多种低功耗、高性能的应用场景，特别是在便携式设备和电源管理领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3MOSFET N-Chnl 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 600 mA |
| Id-连续漏极电流 | 600 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4206A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4206A |
| Pd-PowerDissipation | 0.7 W |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFETs |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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