ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > EMH2T2R
Datasheet下载- 型号： EMH2T2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMH2T2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMH2T2R价格参考￥0.81-￥1.51。ROHM SemiconductorEMH2T2R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6。您可以下载EMH2T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMH2T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的EMH2T2R是一款双极型晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。这种器件通常用于需要精确控制电流和电压的应用场景中。以下是EMH2T2R的一些典型应用场景： 1. 信号放大： EMH2T2R可以用于音频或射频信号的放大。其预偏置特性使得在设计低失真放大器时更加方便，能够提供稳定的增益性能。 2. 开关电路： 在需要快速切换的小信号应用中，该器件可以用作开关元件。例如，在数字电路中实现逻辑功能或驱动小型负载。 3. 传感器接口： 由于其高精度和稳定性，EMH2T2R适用于将微弱的传感器输出信号进行放大处理，如温度、压力或光敏传感器等。 4. 恒流源/恒压源： 利用其预偏置特性和良好的线性度，可以构建精确的恒流源或恒压源，为LED或其他需要稳定供电的设备提供电源。 5. 运算放大器内部结构： 在一些定制化模拟电路设计中，EMH2T2R可能被用作运放输入级差分对的一部分，以提高整体电路的性能。 6. 振荡器与调制器： 在无线通信系统中，该晶体管可用于生成载波信号或者对已有信号进行幅度、频率或相位调制。 7. 电机控制： 对于小功率直流电机，EMH2T2R可参与速度调节或方向控制的驱动电路设计。 总之，EMH2T2R凭借其优异的电气参数及可靠性，在众多电子领域内都有广泛的应用价值，特别适合那些对性能要求较高且空间有限的设计场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN EMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 30MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor EMH2T2R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | EMH2T2R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 其它名称 | EMH2T2RDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | EMT-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 68 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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