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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ681(Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ681(Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SJ681(Q)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SJ681(Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SJ681(Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的2SJ681(Q)是一款P沟道MOSFET晶体管,属于MOSFET-单系列,广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高可靠性及良好的热稳定性,适用于电源管理与开关控制场景。 其主要应用场景包括:便携式电子产品(如智能手机、平板电脑)中的电源开关和负载保护电路;电池供电设备中的反向电流阻断与电池极性保护;以及各类消费类电器(如电视、音响、小型家电)的DC-DC转换器和电源模块中,用于高效能电能转换与节能控制。 此外,2SJ681(Q)也常用于电机驱动电路、继电器驱动和LED照明调光系统中,作为高速开关元件,实现精准的开关控制。由于其封装紧凑、性能稳定,适合高密度PCB布局,广泛应用于空间受限但对可靠性要求较高的工业控制与家用电子产品中。 综上所述,2SJ681(Q)凭借其优异的电气特性与稳定性,适用于多种低功率至中功率的开关与电源管理应用,是现代电子设备中重要的功率控制元件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SJ681(Q) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 170 毫欧 @ 2.5A,10V |
供应商器件封装 | PW-MOLD2 |
功率-最大值 | 20W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 200 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |