ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4463BDY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI4463BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4463BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4463BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4463BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 9.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4463BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4463BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4463BDY-T1-E3 并非晶体管或MOSFET产品，而是一款高性能的射频（RF）收发器集成电路，属于无线通信芯片，常用于低功耗、远距离的无线应用。该型号工作在400–480 MHz和800–960 MHz频段，支持多种调制方式，具有高灵敏度、低功耗和出色的抗干扰能力。 其典型应用场景包括：工业无线传感器网络、远程抄表系统（如水表、电表、燃气表）、智能家居设备、无线报警与安防系统、自动化的楼宇控制系统以及无线数据传输模块等。由于具备良好的链路预算和灵活的配置选项，SI4463BDY-T1-E3 特别适用于需要稳定、可靠、长距离无线通信的环境，尤其适合电池供电的低功耗设备。 需要注意的是，该器件属于射频IC类别，而非晶体管或MOSFET。用户在选型时应确认产品分类，避免误用。其封装为小型化设计（如TDFN），便于集成到紧凑型电路板中，广泛应用于对空间和功耗敏感的嵌入式系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOICMOSFET 20V 13.7A 0.011Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4463BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4463BDY-T1-E3SI4463BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 13.7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4463BDY-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4463BDY-E3 |
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