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Datasheet下载- 型号： IRF9310PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF9310PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9310PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9310PBF价格参考。International RectifierIRF9310PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 30V 20A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF9310PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9310PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF9310PBF 是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），常用于电源管理与开关控制场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电池供电设备和便携式电子产品。 典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：在直流电源系统中作为负载开关或反向电流保护元件，广泛用于笔记本电脑、移动电源和USB充电设备中，实现对电源通断的高效控制。 2. 电机驱动：用于小型直流电机的H桥驱动电路中，控制电机正反转及制动功能，常见于电动玩具、家用电器和小型自动化设备。 3. 电池管理：在锂电池保护板中作为充放电控制开关，防止过充、过放和短路，保障电池使用安全。 4. DC-DC转换器：作为同步整流或高端开关元件，提升电压转换效率，适用于低电压、高效率的开关电源设计。 IRF9310PBF采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适合工业控制、消费电子和汽车电子等中低功率应用领域。其无需额外驱动电路即可由逻辑信号直接控制，简化了设计复杂度，提高了系统可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOICMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 4.6mOhms 58nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 20 A |
| Id-连续漏极电流 | - 20 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9310PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9310PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 58 nC |
| Qg-栅极电荷 | 58 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5250pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 165nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 58 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf9310pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf9310pbf.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
