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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1N60A由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1N60A价格参考。VishayIRFR1N60A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR1N60A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR1N60A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR1N60A 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要应用于需要高效开关性能的电源管理系统中。其典型应用场景包括: 1. 电源转换器(SMPS):适用于开关电源、DC-DC 转换器等,因其具备高耐压(600V)和良好的导通电阻特性,有助于提高转换效率并降低损耗。 2. 电机驱动:用于工业自动化、电动工具或家用电器中的电机控制电路,能够承受较高的电流冲击和工作电压。 3. 照明系统:如 LED 驱动电源或镇流器中,用于高频开关控制,提高光源系统的稳定性和能效。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中作为功率开关元件,实现直流到交流的高效转换。 5. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制电路中,提供快速开关响应和良好的热稳定性。 该器件采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适合中高功率应用。设计时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制,并配合适当的驱动和保护电路以确保稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91267 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR1N60A |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 229pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 欧姆 @ 840mA,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR1N60A |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.4A (Tc) |