ICGOO在线商城 > 射频/IF 和 RFID > RF 放大器 > MMZ25332BT1
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMZ25332BT1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMZ25332BT1价格参考。Freescale SemiconductorMMZ25332BT1封装/规格:RF 放大器, 射频放大器 IC LTE,TDS-CDMA,W-CDMA 1.8GHz ~ 2.8GHz 12-QFN(3x3)。您可以下载MMZ25332BT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMZ25332BT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MMZ25332BT1 是一款射频(RF)放大器,属于其广泛应用于无线通信领域的高性能分立器件之一。该器件主要设计用于工作在2.4 GHz至2.5 GHz频段的无线系统,典型应用场景包括无线局域网(WLAN)、Wi-Fi 4(802.11a/b/g/n)设备、物联网(IoT)模块以及智能家居和工业无线通信设备。 MMZ25332BT1采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,具备低噪声、高增益和良好的线性度特性,适合在接收前端或中等功率发射链路中作为低噪声放大器(LNA)或驱动放大器使用。其小型化的SOT-753封装(也称SOT-23-6)便于集成于空间受限的便携式设备中,如无线接入点、路由器、无线传感器节点、蓝牙共存模块及无线音频设备等。 此外,该器件具有较低的功耗和良好的抗干扰能力,适用于电池供电或对能效要求较高的终端应用。由于其稳定的工作性能和广泛的温度适应范围,也常用于工业级无线通信模块和嵌入式控制系统中。 总之,MMZ25332BT1是一款面向2.4 GHz频段无线系统的可靠RF放大器解决方案,广泛服务于消费电子、智能家居、工业自动化和物联网等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID半导体 |
| 描述 | IC AMP HBT INGAP 12QFN射频放大器 31DBM GAAS AMP |
| 产品分类 | RF 放大器RF集成电路 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 射频放大器,Freescale Semiconductor MMZ25332BT1- |
| 数据手册 | |
| P1dB | 33 dBm |
| 产品型号 | MMZ25332BT1 |
| RF类型 | LTE,TDS-CDMA,W-CDMA |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频放大器 |
| 供应商器件封装 | 12-QFN(3x3) |
| 功率增益类型 | 26.5 dB |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 22 mg |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | 5.8 dB |
| 增益 | 26.5dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 12-VFQFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | QFN-EP-12 |
| 工作电源电压 | 5 V |
| 工作频率 | 2500 MHz |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | GaAs |
| 放大器类型 | RF Amplifier |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 测试频率 | 2.5GHz |
| 电压-电源 | 3 V ~ 5 V |
| 电流-电源 | 390mA |
| 电源电流 | 390 mA |
| 类型 | GaAs |
| 系列 | MMZ25332B |
| 输入返回损失 | - 17 dB |
| 输出截获点 | 48 dBm |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 频率 | 1.8GHz ~ 2.8GHz |
| 频率范围 | 1500 MHz to 2800 MHz |