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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9530STRLPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9530STRLPBF价格参考。VishayIRF9530STRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9530STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9530STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9530STRLPBF 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Intertechnology 旗下品牌)生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和负载开关,实现高效能的电能转换与分配。 2. 电机控制:适用于直流电机驱动电路,作为功率开关元件,控制电机启停和方向。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、便携式仪器等,用于电池充放电管理和电源切换。 4. 工业自动化:在 PLC、继电器驱动和工业控制系统中用作高边开关或低边开关。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、照明控制、电动窗及其他车载电机控制模块。 6. 消费类电子产品:如智能家电、UPS 不间断电源、充电器等产品中的功率控制部分。 该器件具有较高的耐用性和热稳定性,适合需要中高功率开关性能的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 12A D2PAKMOSFET P-Chan 100V 12 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9530STRLPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9530STRLPBFIRF9530STRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 52 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 7.2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF9530STRLPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |