【未分类_FQA30N40】封装/厂家_FQA30N40中文资料_价格

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型号： FQA30N40
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA30N40由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA30N40价格参考。Fairchild SemiconductorFQA30N40封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQA30N40参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA30N40 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA30N40 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景非常广泛，主要得益于其出色的电气特性和可靠性。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQA30N40 常用于开关电源中的功率开关器件。它具有较低的导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.18 Ω），能够高效地切换高电流负载，适合 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等应用。
   - 在高频开关应用中，其快速开关速度和低栅极电荷特性可以减少开关损耗。

 2. 电机驱动
   - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。FQA30N40 的耐压能力高达 400 V，能够承受电机启动和停止时产生的反电动势（电压尖峰）。
   - 它还可以用作 H 桥电路中的功率开关，实现电机的正反转控制。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FQA30N40 可作为功率级开关，将直流电转换为交流电。
   - 其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高压环境中稳定运行。

 4. 负载开关
   - 用于各种电子设备中的负载开关应用，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电电路。
   - 提供高效的电流控制，同时减少发热和功耗。

 5. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电池管理系统中，FQA30N40 可用于保护电路，防止过流、短路或过充等问题。
   - 其低导通电阻特性有助于降低电池放电时的能量损耗。

 6. LED 驱动
   - 用于大功率 LED 照明系统的驱动电路中，作为开关元件调节电流。
   - 支持 PWM 调光功能，提供稳定的亮度控制。

 7. 工业自动化
   - 在工业控制领域，FQA30N40 可用于固态继电器、电磁阀驱动和传感器接口等应用。
   - 其高可靠性和耐用性使其非常适合工业环境中的长时间运行。

 8. 汽车电子
   - 虽然 FQA30N40 不是专门的车规级器件，但在一些非关键汽车应用中（如电动车窗、雨刷器控制等），它也可以发挥重要作用。
   - 提供高效的功率切换和保护功能。

 总结
FQA30N40 凭借其 400 V 的高耐压能力、低导通电阻和良好的热性能，成为许多功率转换和控制应用的理想选择。无论是消费电子、工业设备还是新能源领域，这款 MOSFET 都能提供可靠的性能支持。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 400V 30A TO-3PMOSFET 400V N-Channel QFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	30 A
Id-连续漏极电流	30 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA30N40QFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQA30N40
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	290 W
Pd-功率耗散	290 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	140 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	140 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	400 V
Vds-漏源极击穿电压	400 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	320 ns
下降时间	170 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4400pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	120nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	140 毫欧 @ 15A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-3P
典型关闭延迟时间	190 ns
功率-最大值	290W
包装	管件
单位重量	6.401 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
封装/箱体	TO-3P-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	30
正向跨导-最小值	20 S
漏源极电压(Vdss)	400V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	30A （Tc）
系列	FQA30N40
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FQA30N40_NL