Datasheet下载- 型号： FDB8453LZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8453LZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8453LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8453LZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB8453LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB8453LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB8453LZ 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单N沟道MOSFET，具有高效率和低导通电阻的特点。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合，主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，提高电源转换效率，降低损耗。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路，提供快速开关响应和高电流承载能力。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中，用于电源开关与负载管理，延长电池续航。 4. 汽车电子：用于车载充电系统、LED照明驱动、电动工具等场景，具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 工业控制：在PLC、变频器、伺服驱动器等工业设备中，用于功率开关控制与电能管理。 该MOSFET具备高耐压、低Rds(on)特性，适合高频开关应用，有助于减小系统体积与功耗。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB8453LZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3545pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 17.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 其它名称 | FDB8453LZDKR |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.1A （Ta）， 50A （Tc） |
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