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FQPF20N06L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF20N06L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF20N06L价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF20N06L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 15.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF20N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF20N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF20N06L 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类型。该型号具有 20A 的连续漏极电流和 60V 的最大漏源电压,适用于多种电力电子应用。 应用场景: 1. 开关电源 (SMPS): FQPF20N06L 常用于开关电源中的功率开关。其低导通电阻(Rds(on))使得在高频开关条件下,能够减少传导损耗,提高电源转换效率。适合应用于 DC-DC 转换器、反激式变换器等电路中。 2. 电机驱动: 在电机控制应用中,FQPF20N06L 可作为功率级的一部分,用于驱动直流电机或步进电机。其快速开关特性和低损耗特性有助于实现高效的电机控制,同时减少发热问题。 3. 电池管理系统 (BMS): 该 MOSFET 可用于电池保护电路中,作为充电和放电路径的开关元件。其低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失,延长电池寿命。 4. LED 驱动器: 在 LED 照明系统中,FQPF20N06L 可用于恒流控制电路,确保 LED 在不同工作条件下保持稳定的亮度。其良好的热性能和低功耗特性使其非常适合用于高亮度 LED 驱动器。 5. 工业自动化: 在工业控制系统中,FQPF20N06L 可用于驱动各种执行器和传感器,如电磁阀、继电器等。其坚固耐用的设计和宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。 6. 消费电子产品: 该 MOSFET 还广泛应用于消费电子产品中,如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等。其紧凑的封装形式(TO-220 和 DPAK)使其易于集成到小型化设计中,同时保持高性能和可靠性。 总之,FQPF20N06L 凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,在电力电子领域有着丰富的应用场景,特别适合需要高效、可靠且低损耗的功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220FMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 15.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF20N06LQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF20N06L |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 42 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 156 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 7.85A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | FQPF20N06L-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15.7A (Tc) |
| 系列 | FQPF20N06L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQPF20N06L_NL |