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Datasheet下载- 型号： FDC608PZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC608PZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC608PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDC608PZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDC608PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC608PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC608PZ 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：FDC608PZ 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度使其非常适合用于开关电源中的功率级开关。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用，提供高效的电压转换。 - 负载开关：用于动态控制电路的开启和关闭，降低功耗并保护系统。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于驱动玩具、风扇或其他小型电机，提供高效且稳定的电流输出。 - H 桥电路：在双向电机控制中作为关键开关元件。 3. 电池管理 - 电池保护电路：用于锂离子电池组的过充、过放保护，通过快速切断电流来防止损坏。 - 电量监测：配合其他元件实现精确的电流检测和电池状态监控。 4. 消费电子 - 便携式设备：如平板电脑、智能手机、蓝牙音箱等，用于高效电源管理和信号切换。 - USB 充电端口保护：防止过流、短路等问题，确保设备安全。 5. 通信设备 - 信号切换：在多路复用器或信号路由中，作为高速开关使用。 - 射频前端：在某些低频应用中，可作为辅助开关元件。 6. 工业控制 - 继电器替代：利用其固态特性，取代传统机械继电器，提高可靠性和寿命。 - 传感器接口：为传感器供电或信号放大提供高效开关功能。 7. 汽车电子 - 车载电子设备：如导航系统、娱乐系统中的电源管理模块。 - LED 照明驱动：用于车灯或仪表盘背光的亮度调节。 FDC608PZ 凭借其低导通电阻（典型值为 10mΩ）、小封装尺寸（SOT-23 封装）以及出色的热性能，在需要高效能和紧凑设计的应用中表现出色。这些特点使其成为众多低功耗、高频应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrenchAr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC608PZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC608PZ |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 5.8A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC608PZTR |
| 典型关闭延迟时间 | 91 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A （Ta） |
| 系列 | FDC608PZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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