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SI4840BDY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4840BDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4840BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4840BDY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 40V 19A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO。您可以下载SI4840BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4840BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4840BDY-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET,属于单MOSFET晶体管,广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高开关效率和优良的热稳定性,适用于需要高效能功率管理的场景。 主要应用场景包括:便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源管理与负载开关,用于电池供电系统的节能控制;在DC-DC转换器中作为同步整流或开关元件,提升电源转换效率;在电机驱动电路中控制小型直流电机的启停与转向;还可用于热插拔电路、LED驱动以及各类电源开关模块中。 SI4840BDY-T1-GE3采用小型封装(如PowerPAK SO-8),节省PCB空间,适合高密度布局设计,同时具备良好的散热性能。其额定电压为30V,适合中低电压应用环境,兼顾性能与可靠性。由于其高可靠性和稳定表现,也常用于工业控制、消费类电子及通信设备中的功率切换与保护电路。 总之,SI4840BDY-T1-GE3是一款高性能、小体积的MOSFET,适用于对效率、空间和稳定性有较高要求的中低功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 19A 8SOICMOSFET 40V 19A 6.0W 9.0mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69795 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4840BDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4840BDY-T1-GE3SI4840BDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 6 W |
| Pd-功率耗散 | 6 W |
| Qg-GateCharge | 50 nC |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 12.4A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4840BDY-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 56 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4840BDY-GE3 |