ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD16321Q5C
Datasheet下载- 型号： CSD16321Q5C
- 制造商： Texas Instruments
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16321Q5C由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16321Q5C价格参考。Texas InstrumentsCSD16321Q5C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）。您可以下载CSD16321Q5C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16321Q5C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16321Q5C是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道功率MOSFET，属于超小型封装的单MOSFET器件，广泛应用于对空间和效率要求较高的电源管理系统中。其主要应用场景包括： 1. 同步整流DC-DC转换器：适用于低电压、高效率的降压（Buck）转换器，常用于笔记本电脑、平板电脑和服务器的主板电源管理模块，作为高边或低边开关，提升转换效率。 2. 负载开关电路：在电池供电设备（如智能手机、可穿戴设备）中，用于控制不同功能模块的电源通断，实现节能与系统稳定性。 3. 电机驱动与电源分配：适用于小型直流电机驱动电路及便携式电子设备中的电源分配管理，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少功耗和发热。 4. 热插拔与过流保护电路：在工业控制与通信设备中，用于构建热插拔控制器，防止上电冲击电流损坏系统。 5. LED背光驱动：在LCD显示设备中作为LED电流调节开关，提供稳定高效的驱动能力。 该器件采用5引脚SON封装（2mm × 2mm），具有极低的栅极电荷和优异的开关性能，适合高频开关应用。同时，其耐压为20V，持续漏极电流可达9.6A，兼顾高功率密度与散热效率，特别适用于紧凑型高能效电源设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A 8SONMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16321Q5CNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16321Q5C |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 25A，8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON-EP（5x6） |
| 其它名称 | 296-25643-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16321Q5C |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 150 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/texas-instruments/DualCool.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A（Ta）， 100A（Tc） |
| 系列 | CSD16321Q5C |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 配置 | Single |
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