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STP2NK100Z产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP2NK100Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP2NK100Z价格参考。STMicroelectronicsSTP2NK100Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 1.85A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP2NK100Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP2NK100Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP2NK100Z 是 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STP2NK100Z 的高耐压特性(1000V 额定电压)使其非常适合用于高压开关电源的设计,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。 - 在这些应用中,MOSFET 作为高频开关元件,用于控制功率传输和调节输出电压。 2. 电机驱动 - 适用于工业电机驱动、家用电器中的电机控制以及小型电动工具的驱动电路。 - 其低导通电阻(典型值为 4.5 Ω @ Vgs = 10V)有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 逆变器 - 常用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和其他需要将直流电转换为交流电的设备中。 - MOSFET 的快速开关能力和高耐压特性能够满足逆变器对可靠性和效率的要求。 4. 电力电子保护电路 - 可用于过流保护、短路保护和负载切换等场景。 - 其内置的雪崩能量能力(EAS)使其能够在异常情况下承受短暂的高能量冲击,从而提高系统的可靠性。 5. 家电和照明 - 在高效节能的 LED 照明驱动电路中,STP2NK100Z 可作为开关元件使用。 - 同时也适用于电磁炉、微波炉等家用电器的功率控制模块。 6. 汽车电子 - 适用于汽车点火系统、车载充电器、继电器替代等高压应用。 - 其高温工作能力和高可靠性满足了汽车环境的严苛要求。 总结 STP2NK100Z 凭借其高耐压、低导通电阻和优秀的开关性能,广泛应用于需要高压、高频和高效功率管理的领域。它特别适合于开关电源、电机驱动、逆变器、保护电路以及家电和汽车电子等场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP2NK100ZSuperMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP2NK100Z |
Pd-PowerDissipation | 70 W |
Pd-功率耗散 | 70 W |
Qg-GateCharge | 16 nC |
Qg-栅极电荷 | 16 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 499pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.5 欧姆 @ 900mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-7518-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF177653?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.85A (Tc) |
系列 | STP2NK100Z |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |