Datasheet下载- 型号： PSMN1R1-30PL,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R1-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R1-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R1-30PL,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN1R1-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R1-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R1-30PL,127 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景如下： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：由于该 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)），能够高效地用作开关器件，在 DC-DC 转换器中实现电压调节。 - 负载开关：在需要快速切换电流路径的应用中，例如手机、平板电脑和其他便携式设备中，可以用作高效的负载开关。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于驱动风扇、泵或小型直流电机，提供稳定的电流输出和快速的开关响应。 - H 桥电路：在机器人或自动化设备中，用于构建 H 桥以实现电机的正转和反转。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：在锂电池或铅酸电池系统中，用作充电和放电路径的开关，防止过流、短路或反接等问题。 - 均衡电路：在多节电池组中，用于实现电池单元间的电压均衡。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷电机、座椅调节等应用中，作为功率开关。 - LED 照明驱动：用于控制汽车 LED 灯光的亮度和开关，具有高效率和低热量损耗。 5. 工业自动化 - 继电器替代：在工业控制系统中，可以替代传统机械继电器，提供更快的开关速度和更长的使用寿命。 - 传感器接口：为各种传感器供电或信号放大提供高效的开关功能。 6. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器：用于适配器中的功率转换和保护电路。 - 家用电器：如吸尘器、电饭煲等设备中的电机驱动和电源管理模块。 特性优势： - 低导通电阻：减少功率损耗，提高系统效率。 - 高电流能力：支持大电流负载，适用于多种功率应用。 - 快速开关速度：降低开关损耗，适合高频应用。 - 紧凑封装：节省 PCB 空间，适合小型化设计。 综上所述，PSMN1R1-30PL,127 在电源管理、电机驱动、电池保护、汽车电子、工业自动化和消费类电子产品等领域有着广泛的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 120A TO220ABMOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R1-30PL,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R1-30PL,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 243 nC |
| Qg-栅极电荷 | 243 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14850pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 243nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6719 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.3 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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