数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP70N03-09BP-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP70N03-09BP-E3价格参考。VishaySUP70N03-09BP-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUP70N03-09BP-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUP70N03-09BP-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUP70N03-09BP-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。其主要特点包括低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和快速开关性能,适用于以下应用场景: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源中,提高能效并减小电路体积。 2. 电机驱动:适用于电动工具、风扇、泵等中小型电机的控制电路,提供快速响应和可靠性能。 3. 负载开关:用于电池供电设备中的负载切换,如笔记本电脑、平板、智能家电等,实现低功耗管理和过载保护。 4. 逆变器与变频器:在小型逆变器和电机变频控制中作为功率开关元件,支持高效能量转换。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动及车载充电器等场景,具备良好的热稳定性和可靠性。 该器件采用高性能TrenchFET®技术,封装形式为PowerPAK® SO-8,适合高密度PCB布局,是中低电压功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 70A TO220ABMOSFET 30V 70A 93W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP70N03-09BP-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUP70N03-09BP-E3SUP70N03-09BP-E3 |
Pd-PowerDissipation | 93 W |
Pd-功率耗散 | 93 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 8 ns |
下降时间 | 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | N-Channel MOSFETs |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | SUP70N03-09BP-E3CT |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
功率-最大值 | 93W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |