| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3715ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3715ZPBF价格参考。International RectifierIRLR3715ZPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR3715ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3715ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRLR3715ZPBF的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的单个器件类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面:
1. 电源管理
- IRLR3715ZPBF是一款低导通电阻(Rds(on))的MOSFET,适合用于高效的电源管理电路。例如:
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电池充电和保护电路
2. 电机驱动
- 由于其低导通电阻和快速开关特性,该MOSFET适用于小型电机驱动应用,如:
- 家用电器中的直流无刷电机(BLDC)
- 电动工具
- 风扇和泵控制
3. 负载切换
- 在需要频繁切换负载的场景中表现优异,例如:
- 汽车电子系统中的负载切换
- 工业自动化设备中的负载控制
4. 逆变器和太阳能应用
- 该MOSFET可用于小型逆变器或太阳能微逆变器中,实现高效的能量转换。
5. 消费类电子产品
- 在便携式电子设备中,用于电源管理和电池管理,例如:
- 笔记本电脑适配器
- 移动电源
- 智能手机快充模块
6. 通信设备
- 用于通信基站和其他通信设备中的电源管理单元,确保高效运行。
技术特点支持的应用优势:
- 低导通电阻:减少功率损耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。
- 良好的热性能:支持高功率密度设计。
综上所述,IRLR3715ZPBF广泛应用于需要高效功率转换和低损耗的场景,特别是在电源管理、电机驱动和负载切换等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 49A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLR3715ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.55V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 49A (Tc) |