Datasheet下载- 型号： ZVP3306A
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP3306A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP3306A价格参考。Diodes Inc.ZVP3306A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVP3306A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVP3306A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVP3306A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是 ZVP3306A 的主要应用场景： 1. 电源管理 - ZVP3306A 常用于低电压电源管理系统中，例如负载开关、电源通断控制和电池保护电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高效率。 - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中，ZVP3306A 可用于电池供电电路的电源切换。 2. 电机驱动与控制 - 该器件适用于小型直流电机的驱动和控制，例如玩具、风扇或小型家用电器中的电机控制。通过调节栅极电压，可以实现对电机速度和方向的精准控制。 3. 信号切换 - ZVP3306A 可用于模拟信号或数字信号的切换电路中，作为电子开关来实现信号路径的选择。其低电容特性有助于减少信号失真和延迟。 4. 保护电路 - 在过流保护、短路保护和反向电流保护等应用中，ZVP3306A 可以快速响应并切断电流路径，从而保护后续电路免受损害。 - 它也常用于防止电池反接的情况，确保设备安全运行。 5. 音频电路 - ZVP3306A 可用于音频设备中的功率放大器或音量控制电路，提供稳定的电流输出，同时保持低噪声性能。 6. 消费电子产品 - 该器件广泛应用于各种消费电子产品中，如遥控器、智能家居设备、LED 照明和小型家电。其小型封装（如 SOT-23）适合空间受限的设计。 7. 汽车电子 - 在汽车电子领域，ZVP3306A 可用于车内照明、传感器接口和辅助设备的电源控制，具有良好的温度稳定性和可靠性。 总结 ZVP3306A 的典型应用场景包括电源管理、信号切换、电机驱动、保护电路和消费电子设备等。凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑封装的特点，这款 MOSFET 成为许多低功耗、小尺寸设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3MOSFET P-Chnl 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 160 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 160 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP3306A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVP3306A |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 18V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 160mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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