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  • 型号: IXFR80N50P
  • 制造商: IXYS
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IXFR80N50P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFR80N50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFR80N50P价格参考。IXYSIXFR80N50P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 500V 45A (Tc) 360W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™。您可以下载IXFR80N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFR80N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFR80N50P是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),具有高电压、大电流特性,耐压达500V,连续漏极电流可达80A。该器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的场合。

主要应用场景包括:工业电源系统,如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和DC-DC转换器,因其高效率和快速开关特性,有助于降低能耗并提升系统稳定性;电机驱动领域,如交流/直流电机控制、电动工具及工业自动化设备中,用于实现精确的功率调节与保护;逆变器系统,如太阳能光伏逆变器和电焊机中,承担直流到交流的转换功能,具备良好的热稳定性和可靠性;此外,还适用于高电压脉冲应用和电力电子负载开关等场景。

IXFR80N50P采用TO-247封装,散热性能良好,适合高功率密度设计,同时具备较低的导通电阻和栅极电荷,有助于减少导通损耗和开关损耗,提高整体能效。其坚固的结构和优异的雪崩能量承受能力,也增强了在严苛工作环境下的耐用性。

综上,IXFR80N50P适用于对效率、可靠性和功率密度要求较高的工业与电力电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247MOSFET 500V 80A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

45 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFR80N50PPolarHV™ HiPerFET™

数据手册

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产品型号

IXFR80N50P

Pd-PowerDissipation

360 W

Pd-功率耗散

360 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

72 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

72 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

27 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

12700pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

197nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

72 毫欧 @ 40A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ISOPLUS247™

典型关闭延迟时间

70 ns

功率-最大值

360W

包装

管件

单位重量

5.300 g

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

ISOPLUS247™

封装/箱体

ISOPLUS 247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

70 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A (Tc)

系列

IXFR80N50

通道模式

Enhancement

配置

Single

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