Datasheet下载- 型号： BSS119E6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS119E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS119E6327价格参考。InfineonBSS119E6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSS119E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS119E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 BSS119E6327 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于小信号 MOSFET，常用于低电压、中等频率的开关和放大电路。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于电池供电设备中的负载开关控制，如便携式电子产品、智能电表等。 2. 逻辑电路与数字开关：在数字电路中作为高速开关使用，实现逻辑控制功能。 3. 电机驱动与继电器驱动：用于小型直流电机、电磁阀或继电器的控制端驱动。 4. LED 照明控制：作为 LED 驱动电路中的开关元件，实现调光或通断控制。 5. 传感器接口电路：用于传感器信号的放大或开关控制，常见于工业自动化控制系统中。 6. 通信设备：应用于通信模块中的射频开关或数据线路切换。 该器件采用 TSOP 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。其具备较高的开关速度和较低的导通电阻，适合高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSS119_Rev1.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42f20134aff |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSS119E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 78pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BSS119INCT |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 170mA （Ta） |
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