ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD18563Q5AT
Datasheet下载- 型号： CSD18563Q5AT
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18563Q5AT由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18563Q5AT价格参考。Texas InstrumentsCSD18563Q5AT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSONP（5x6）。您可以下载CSD18563Q5AT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD18563Q5AT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD18563Q5AT是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道功率MOSFET，属于高性能、低电压应用的单MOSFET器件。其主要应用场景包括： 1. 同步整流DC-DC转换器：该器件具有低导通电阻（Rdson）和优异的开关性能，适用于高效率的同步降压转换器，广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的多相电压调节模块（VRM）。 2. 负载点电源（POL）：在FPGA、ASIC、微处理器等数字芯片的供电系统中，CSD18563Q5AT可作为高密度、高效率的负载点转换器，提供稳定可靠的电源管理。 3. 电机驱动电路：由于具备良好的热稳定性和电流处理能力，该MOSFET也适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，常见于工业自动化和消费类电子产品中。 4. 热插拔与电源开关设计：可用于需要快速响应和低功耗损耗的电源开关应用，如电信设备或数据中心中的板卡热插拔保护电路。 5. 电池供电系统：在便携式设备或电池管理系统中，因其低静态功耗和高效能，有助于延长电池续航时间。 CSD18563Q5AT采用SON 5mm×6mm封装，具有优良的散热性能，适合空间受限但对功率密度要求高的设计。其优化的栅极电荷和输出电容特性，有助于降低开关损耗，提升整体系统效率。综合来看，该器件特别适用于追求高效率、高集成度和紧凑布局的现代电源设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://www.ti.com/lit/pdf/slpt033 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD18563Q5AT |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.8 mOhm @ 18A、 10V |
| 供应商器件封装 | 8-VSON （5x6） |
| 其它名称 | 296-37748-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18563Q5AT |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Ta） |
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