ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI7135DP-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI7135DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7135DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7135DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7135DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7135DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7135DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7135DP-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，采用1.2mm × 1.2mm小尺寸DFN封装，适合高密度表面贴装应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷和快速开关特性，适用于高效、低功耗的电源管理场景。 主要应用场景包括：便携式电子设备中的负载开关或电源切换控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；电池供电系统中的电源管理模块，用于延长电池续航；DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；以及LED驱动电路中的开关控制。此外，其小型封装也使其广泛应用于空间受限的消费类电子产品和便携式医疗设备中。 SI7135DP-T1-GE3具备良好的热性能和可靠性，工作温度范围宽（通常为-55°C至+150°C），适合在严苛环境中稳定运行。由于其符合RoHS环保标准且无卤素，适用于对环保要求较高的产品设计。总体而言，该MOSFET适用于需要高效率、小尺寸和低功耗特性的中低功率开关应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8MOSFET 30V 60A 104W 3.9mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 60 A |
| Id-连续漏极电流 | - 60 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7135DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7135DP-T1-GE3SI7135DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8650pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7135DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 95 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI7135DP-GE3 |
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