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  • 型号: 2SC5658T2LR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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2SC5658T2LR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5658T2LR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5658T2LR价格参考¥0.11-¥0.11。ROHM Semiconductor2SC5658T2LR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount VMT3。您可以下载2SC5658T2LR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC5658T2LR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的2SC5658T2LR是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于小信号晶体管,适用于高频、低功率放大和开关应用。该器件采用紧凑的表面贴装封装(如SOT-23或类似小型封装),具有良好的高频响应和快速开关特性,适合空间受限的便携式电子设备。

其典型应用场景包括:  
1. 无线通信设备:用于射频(RF)信号放大,如在蓝牙模块、Wi-Fi模块或无线遥控装置中作为高频放大器。  
2. 音频放大电路:作为前置放大器或小信号音频放大元件,广泛应用于耳机放大器、麦克风前置放大等消费类电子产品中。  
3. 开关电路:在数字逻辑电路或LED驱动电路中作为高速开关元件,控制小电流负载的通断。  
4. 传感器信号调理:用于放大传感器输出的微弱信号,例如温度、光强或压力传感器的信号处理电路。  
5. 便携式电子设备:因其小型封装和低功耗特性,常见于智能手机、可穿戴设备、PDA等对尺寸和功耗敏感的产品中。

2SC5658T2LR具备较高的直流电流增益(hFE)和较低的饱和电压,有助于提升电路效率并降低功耗。同时,其稳定的性能和高可靠性使其在工业控制、家用电器和汽车电子中的辅助电路中也有广泛应用。总体而言,该晶体管适用于需要高频响应、低噪声和小体积设计的中低功率模拟与数字电路场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 50V 150MA VMT3两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SC5658T2LR-

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产品型号

2SC5658T2LR

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,6V

产品目录绘图

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

VMT3

其它名称

2SC5658T2LRDKR

功率-最大值

150mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

180 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-723

封装/箱体

VMT-3

工厂包装数量

8000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

150 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.15 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

电流-集电极截止(最大值)

100µA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

180 at 1 mA at 6 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

180

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极连续电流

0.15 A

频率-跃迁

180MHz

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