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2SC5658T2LR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5658T2LR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5658T2LR价格参考¥0.11-¥0.11。ROHM Semiconductor2SC5658T2LR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount VMT3。您可以下载2SC5658T2LR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC5658T2LR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SC5658T2LR是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于小信号晶体管,适用于高频、低功率放大和开关应用。该器件采用紧凑的表面贴装封装(如SOT-23或类似小型封装),具有良好的高频响应和快速开关特性,适合空间受限的便携式电子设备。 其典型应用场景包括: 1. 无线通信设备:用于射频(RF)信号放大,如在蓝牙模块、Wi-Fi模块或无线遥控装置中作为高频放大器。 2. 音频放大电路:作为前置放大器或小信号音频放大元件,广泛应用于耳机放大器、麦克风前置放大等消费类电子产品中。 3. 开关电路:在数字逻辑电路或LED驱动电路中作为高速开关元件,控制小电流负载的通断。 4. 传感器信号调理:用于放大传感器输出的微弱信号,例如温度、光强或压力传感器的信号处理电路。 5. 便携式电子设备:因其小型封装和低功耗特性,常见于智能手机、可穿戴设备、PDA等对尺寸和功耗敏感的产品中。 2SC5658T2LR具备较高的直流电流增益(hFE)和较低的饱和电压,有助于提升电路效率并降低功耗。同时,其稳定的性能和高可靠性使其在工业控制、家用电器和汽车电子中的辅助电路中也有广泛应用。总体而言,该晶体管适用于需要高频响应、低噪声和小体积设计的中低功率模拟与数字电路场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 50V 150MA VMT3两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SC5658T2LR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5658T2LR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | 2SC5658T2LRDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | VMT-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 180 at 1 mA at 6 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 0.15 A |
| 频率-跃迁 | 180MHz |