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  • 型号: PBSS5250X,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5250X,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5250X,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5250X,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS5250X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5250X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS5250X,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),具有高增益(hFE 典型值 300@500mA, 5V)、低饱和压降(VCE(sat) 低至 130mV@500mA)及 50V 集电极-发射极击穿电压,采用小型 SOT457(SC-74)封装,适合表面贴装。

其典型应用场景包括:  
1. 中功率开关应用:如电源管理中的负载开关、LED 驱动电路(驱动多颗白光 LED 或背光模组)、继电器/蜂鸣器驱动等;  
2. DC-DC 转换器辅助电路:用于 PWM 控制信号放大、反馈回路中的电平转换或电流检测开关;  
3. 工业与消费电子接口电路:在微控制器(如 ARM Cortex-M 系列)I/O 口驱动能力不足时,作为缓冲/驱动级,增强驱动电流(IC(max) = 1A 脉冲,DC 500mA);  
4. 电池供电设备:得益于低饱和压降和较小静态功耗,适用于便携式设备(如无线传感器节点、遥控器、IoT 终端)中的高效开关控制;  
5. 汽车电子辅助模块:满足 AEC-Q101 认证(该型号为车规级器件),可用于车身控制单元(BCM)中的小功率执行器驱动(如车窗升降指示灯、座椅位置记忆LED等非安全关键功能)。

注意:不适用于高频射频放大或大功率线性放大场景,其fT约100MHz,主要定位为通用中速开关。设计时需注意PCB热管理及基极限流电阻匹配,以确保可靠饱和导通。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 50V 2A SOT89两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5250X,115-

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产品型号

PBSS5250X,115

PCN封装

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PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

320mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 1A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-89-3

其它名称

568-7316-6

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

TO-243

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

550 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 5 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

200 at 0.1 A at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 50 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极连续电流

- 2 A

零件号别名

PBSS5250X T/R

频率-跃迁

100MHz

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