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  • 型号: BC859BLT1
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC859BLT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC859BLT1价格参考。ON SemiconductorBC859BLT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC859BLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC859BLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为BC859BLT1的晶体管,属于安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双极型晶体管(BJT),具体为NPN型通用晶体管。该器件广泛应用于各类电子电路中,适合低频、中频及低功率放大场景。

其主要应用场景包括:

1. 信号放大:用于音频放大器、传感器信号调理电路中,作为前置放大级,具有良好的线性特性。

2. 开关电路:作为电子开关使用,控制继电器、LED、小型电机等负载,适用于数字电路中的驱动控制。

3. 电源管理:在DC-DC转换器、稳压电路中作为控制元件,协助实现电压调节功能。

4. 接口电路:用于不同电压电平之间的信号转换,如微控制器与外围设备之间的接口驱动。

5. 消费类电子产品:常见于手机、平板、智能穿戴设备等便携产品中,用于低功耗信号处理与控制。

6. 工业控制:在工业自动化系统中,用于传感器信号处理、继电器驱动及小型执行机构的控制。

该晶体管采用SOT-23小外形封装,适用于表面贴装工艺,适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于一般商业及工业级应用环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 30V 100MA SOT-23

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

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产品型号

BC859BLT1

PCN设计/规格

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PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

220 @ 2mA,5V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

PNP

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

15nA (ICBO)

频率-跃迁

100MHz

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