【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SIRA12DP-T1-GE3】封装/厂家_SIRA12DP-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SIRA12DP-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SIRA12DP-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SIRA12DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIRA12DP-T1-GE3价格参考￥2.79-￥3.22。VishaySIRA12DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 25A（Tc） 4.5W（Ta），31W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIRA12DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIRA12DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	25 A
Id-连续漏极电流	25 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	http://www.vishay.com/doc?63786
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIRA12DP-T1-GE3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SIRA12DP-T1-GE3SIRA12DP-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	31 W
Pd-功率耗散	31 W
Qg-GateCharge	13.6 nC
Qg-栅极电荷	13.6 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.3 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	2.2 V
Vgs-栅源极击穿电压	2.2 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2070pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	45nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.3 毫欧 @ 10A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392
产品种类	N-Channel MOSFETs
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
其它名称	SIRA12DP-T1-GE3DKR
功率-最大值	31W
包装	Digi-Reel®
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
封装/箱体	PowerPAK SO-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	25A （Tc）
系列	SIRAxxDP
配置	Single
零件号别名	SIRA12DP-GE3

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