Datasheet下载- 型号： PMN23UN,165
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN23UN,165由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN23UN,165价格参考。NXP SemiconductorsPMN23UN,165封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN23UN,165参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN23UN,165 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 PMN23UN,165 是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中小功率电源管理和开关控制场景。该器件采用无铅、小型化封装（如SOT760-1/DFN1717），具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热性能，适合高密度、低功耗设计。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电系统的充放电控制与保护电路；LED驱动电路中的开关调节；以及各类消费类电子产品中的DC-DC转换器和电压调节模块。此外，PMN23UN,165也适用于电机驱动、传感器模块和小型继电器替代等需要高效、快速开关响应的场合。 其低栅极电荷和优异的开关特性有助于降低开关损耗，提高系统能效，特别适合对能效和空间要求较高的应用。同时，该MOSFET具备良好的抗静电（ESD）能力，增强了在复杂电磁环境下的可靠性。总体而言，PMN23UN,165是一款高性能、高可靠性的单N通道MOSFET，适用于多种中低压开关电源与控制应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMN23UN,165 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934058058165 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.3A （Ta） |
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