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产品简介:
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IRFR220BTM_FP001 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于多种电源管理和功率转换应用,常见应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于AC-DC转换电路中,作为开关元件,实现高效的能量转换,广泛应用于笔记本电脑、手机等电子设备的电源适配器。 2. DC-DC转换器:在各类电子产品中用于不同电压等级之间的直流变换,如服务器电源、通信设备电源系统等,提供高效、稳定的电压调节。 3. 电机驱动:在小型电机控制电路中作为功率开关使用,例如电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动模块。 4. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED照明、加热元件或风扇等,具有快速开关能力和低导通电阻优势。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中用于将直流电转换为交流电,具备良好的热稳定性和高可靠性。 该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减小电源体积。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR220BTM_FP001 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 2.3A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A (Tc) |