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型号： BSZ100N03MSGATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ100N03MSGATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ100N03MSGATMA1价格参考￥2.45-￥2.51。InfineonBSZ100N03MSGATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8。您可以下载BSZ100N03MSGATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSZ100N03MSGATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 BSZ100N03MSGATMA1 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于高性能硅基场效应晶体管，广泛应用于需要高效、低导通电阻和快速开关特性的场景。其典型应用场景包括：

1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块，尤其在高效率要求的适配器、服务器电源和通信电源中表现优异。

2. 电机驱动：常用于工业电机控制、电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）中的电机驱动电路，得益于其低 RDS(on) 和良好的热稳定性。

3. 照明系统：在 LED 驱动电源中作为主开关或同步整流器件，提升整体能效。

4. 消费电子：用于笔记本电脑、游戏机、智能电视等设备的电源管理单元，支持轻载高效运行。

5. 汽车电子：适用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器及车身控制系统中的负载开关，符合 AEC-Q101 可靠性标准，具备良好抗干扰能力。

该器件具有 30V 耐压、低导通电阻（典型值约 4.7mΩ）、高电流承载能力（可达数十安培脉冲电流），采用 PG-TSDS-8 封装，散热性能好，适合紧凑型高密度设计。其优化的栅极电荷和开关损耗特性，有助于提升系统效率并降低温升，是中低电压功率应用的理想选择。

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