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IRF9530产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9530由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9530价格参考¥2.18-¥2.18。VishayIRF9530封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 12A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF9530参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9530 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9530 是 Vishay Siliconix 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于多种电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池充电器等,用于高效能的电能转换与调节。 2. 电机控制:在直流电机驱动、电动工具及汽车电子系统中,作为功率开关使用,具备良好的导通和关断特性。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如照明系统、加热元件或风扇等。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源和逆变器设计中,作为核心开关元件实现电能形式的转换。 5. 工业自动化:在PLC、继电器替代方案及工业控制系统中提供可靠开关功能。 6. 汽车电子:用于车载电源系统、车灯控制及辅助设备驱动,适应较宽工作温度范围和较高可靠性要求。 该器件具有低导通电阻、高耐压(VDS=-100V)及良好热稳定性等特点,适合中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ABMOSFET -100V Single P-Channel HEXFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9530- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9530IRF9530 |
| Pd-PowerDissipation | 88 W |
| Pd-功率耗散 | 88 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 52 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 7.2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF9530 |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 88W |
| 功率耗散 | 88 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 300 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |