Datasheet下载- 型号： DMN30H4D0L-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN30H4D0L-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN30H4D0L-7价格参考。Diodes Inc.DMN30H4D0L-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN30H4D0L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN30H4D0L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN30H4D0L-7是一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件采用1.2V逻辑电平驱动，适用于低电压、高效率的便携式电子产品设计。 主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源开关与电池保护电路； 2. 电源管理模块：用于DC-DC转换器、负载开关和电源多路复用控制； 3. 电机驱动与继电器控制：适用于小型电机、电磁阀等感性负载的开关控制； 4. 工业自动化系统：在PLC、传感器模块和工业通信设备中作为高效开关元件； 5. 消费类电子产品：如智能穿戴设备、无线充电器和USB电源管理电路。 其小型化封装（如DFN1006）和低导通电阻特性，使其特别适合空间受限且对效率要求高的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMN30H4D0L-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 187.3pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 300mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | DMN30H4D0L-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 250mA （Ta） |
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