Datasheet下载- 型号： SI2308DS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2308DS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2308DS-T1-E3价格参考。VishaySI2308DS-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2308DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2308DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2308DS-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，属于表面贴装的小信号MOSFET器件，常用于低电压、低功耗的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源开关和负载开关，用于控制不同模块的供电通断，提升能效。 2. 电池供电设备：由于具有低导通电阻（Rds(on)）和低阈值电压，适合用于电池供电系统中的反向电流保护和电池极性保护电路。 3. DC-DC转换器：在同步整流或低端开关电路中作为开关元件，提高转换效率，适用于小型化DC-DC电源模块。 4. LED驱动与控制：可用于LED开关控制电路，实现快速响应和低功耗控制。 5. 消费类电子产品：如无线耳机、智能手表、充电器、USB接口电源控制等，因其小封装（SOT-23）、高集成度和高可靠性，非常适合空间受限的应用。 6. 信号切换与逻辑控制：在数字电路中作为电子开关，替代机械开关或传统晶体管，实现高速、低损耗的信号通断控制。 SI2308DS-T1-E3具备良好的热稳定性和抗干扰能力，符合RoHS环保标准，适用于自动化生产和高密度PCB布局，是现代小型化、高效能电子产品的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2308DS-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 240pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2308DS-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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