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  • 型号: DTC114TMT2L
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114TMT2L由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114TMT2L价格参考¥0.37-¥0.68。ROHM SemiconductorDTC114TMT2L封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3。您可以下载DTC114TMT2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC114TMT2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC114TMT2L-

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产品型号

DTC114TMT2L

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

VMT3

其它名称

DTC114TMT2LCT

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

150mW

功率耗散

150 mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-723

封装/箱体

VMT-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

8000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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