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IRF9520PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9520PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9520PBF价格参考。VishayIRF9520PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF9520PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9520PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9520PBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池充电器,因其高效率和快速开关特性,有助于提升电源系统的整体性能。 2. 负载开关:用于控制高边或低边负载,如电机驱动、继电器驱动和LED照明系统,能够实现对负载的高效、快速通断控制。 3. 电机控制:在小型电机或步进电机的驱动电路中,IRF9520PBF 可作为功率开关使用,支持正反转和调速功能。 4. 汽车电子:适用于汽车中的辅助电源系统、车载充电器及车身控制模块,满足汽车电子对可靠性和稳定性的要求。 5. 工业自动化:用于工业控制系统中的功率开关和执行器驱动,具备良好的热稳定性和耐用性。 6. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电源管理系统和智能家电中的功率控制电路。 该器件具有低导通电阻、高耐压(-100V)和较强的电流承载能力(-4.4A),适合中高功率应用。采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适用于多种电路设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220ABMOSFET P-Chan 100V 6.8 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9520PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91074点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | IRF9520PBFIRF9520PBF |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 4.1A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF9520PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 功率耗散 | 60 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 600 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | 6.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.8A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |