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  • 型号: MGSF1N02LT1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MGSF1N02LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGSF1N02LT1价格参考。ON SemiconductorMGSF1N02LT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MGSF1N02LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MGSF1N02LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MGSF1N02LT1是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于小功率场效应晶体管。该器件常用于低电压、低电流的开关和放大电路中。以下是其典型应用场景:

1. 电源管理:适用于电池供电设备中的电源开关、负载切换等应用,如便携式电子产品、电源适配器和DC-DC转换器。

2. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的控制电路中,作为高速开关元件使用。

3. LED照明:在LED驱动电路中用于调节亮度或作为开关控制。

4. 信号开关:可用于模拟或数字信号路径中的开关控制,如音频切换、传感器信号控制等。

5. 保护电路:用于过流保护、反向电压保护电路中,起到电子开关的作用。

6. 嵌入式系统与控制板:常见于各类嵌入式系统、开发板(如Arduino扩展板)中,用于控制外围设备的通断。

该MOSFET具有低导通电阻、封装小巧、响应速度快等特点,适合高频开关应用,且易于焊接与集成于各类电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MGSF1N02LT1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

125pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 1.2A,10V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MGSF1N02LT1OSCT

功率-最大值

400mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

750mA (Ta)

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