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产品简介:
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MGSF1N02LT1是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于小功率场效应晶体管。该器件常用于低电压、低电流的开关和放大电路中。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的电源开关、负载切换等应用,如便携式电子产品、电源适配器和DC-DC转换器。 2. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的控制电路中,作为高速开关元件使用。 3. LED照明:在LED驱动电路中用于调节亮度或作为开关控制。 4. 信号开关:可用于模拟或数字信号路径中的开关控制,如音频切换、传感器信号控制等。 5. 保护电路:用于过流保护、反向电压保护电路中,起到电子开关的作用。 6. 嵌入式系统与控制板:常见于各类嵌入式系统、开发板(如Arduino扩展板)中,用于控制外围设备的通断。 该MOSFET具有低导通电阻、封装小巧、响应速度快等特点,适合高频开关应用,且易于焊接与集成于各类电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MGSF1N02LT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 125pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 1.2A,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MGSF1N02LT1OSCT |
功率-最大值 | 400mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 750mA (Ta) |