Datasheet下载- 型号： IRF6678TR1
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6678TR1由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6678TR1价格参考。International RectifierIRF6678TR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6678TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6678TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6678TR1的器件是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电力电子系统中。 IRF6678TR1的应用场景主要包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，适用于高效率和高功率密度设计。 2. 电机驱动：用于电动工具、工业自动化设备、无刷直流电机（BLDC）驱动器等，具备快速开关和低导通电阻特性，有助于提升驱动效率。 3. 电池管理系统（BMS）：在储能系统、电动车辆（如电动自行车、电动车）中用于电池充放电控制和保护电路。 4. 负载开关与电源管理：适用于服务器、通信设备、工业控制系统中的高侧或低侧开关应用。 5. 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等，支持高频开关操作，有助于减小磁性元件体积并提升系统效率。 该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力及优良的热性能，适合在高频率、高效率的功率应用中使用。封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装，适用于表面贴装工艺。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6678TR1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5640pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6678TR1CT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta）， 150A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6678.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6678.spi |
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