Datasheet下载- 型号： IRF6603TR1
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6603TR1由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6603TR1价格参考。International RectifierIRF6603TR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6603TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6603TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6603TR1的晶体管属于场效应晶体管（FET），具体为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）单管。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电路中。 IRF6603TR1是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及电机控制系统。其高开关速度和低导通电阻（Rds(on)）特性使其在节能与热管理方面表现出色，适合用在笔记本电脑、服务器、通信设备等对能效要求较高的电源管理系统中。 此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、负载开关及保护电路，在汽车电子领域如车载充电器（OBC）、车身控制模块中也有应用。由于其封装形式为表面贴装（SMD），便于自动化生产和紧凑型设计，因此在空间受限的现代电子产品中有广泛应用。 综上所述，IRF6603TR1主要应用场景包括：电源供应器、马达驱动、电池管理、负载切换、工业自动化控制及汽车电子系统等。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6603TR1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6590pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MT |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Ta）， 92A （Tc） |
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