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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIZ34GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIZ34GPBF价格参考。VishayIRFIZ34GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFIZ34GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFIZ34GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFIZ34GPBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效开关性能的电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池充电器中,因其具备低导通电阻和快速开关特性,有助于提高能效并减少发热。 2. 电机控制:适用于直流电机驱动器和无刷电机控制系统,支持高频率开关操作,提升控制精度和响应速度。 3. 逆变器与变频器:用于光伏逆变器、UPS(不间断电源)和变频器中,实现电能的高效转换和调节。 4. 汽车电子:如车载电源系统、电动工具和车灯控制模块,具备良好的热稳定性和可靠性,适合车载环境。 5. 工业自动化:在工业控制设备和自动化系统中,用于负载开关、继电器替代和高频功率控制。 该器件采用 TO-220 封装,易于散热和安装,工作温度范围宽,适合中高功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A TO220FPMOSFET N-Chan 60V 20 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIZ34GPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91188 |
| 产品型号 | IRFIZ34GPBFIRFIZ34GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 46 nC |
| Qg-栅极电荷 | 46 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 52 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 12A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFIZ34GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 9.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |