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  • 型号: IRF9540NSTRLPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9540NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9540NSTRLPBF价格参考¥询价-¥询价。International RectifierIRF9540NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 100V 23A(Tc) 3.1W(Ta),110W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF9540NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9540NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 100V 23A D2PAKMOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 23 A

Id-连续漏极电流

- 23 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9540NSTRLPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF9540NSTRLPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

3.8 W

Pd-功率耗散

3.8 W

Qg-GateCharge

64.7 nC

Qg-栅极电荷

64.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

117 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

117 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1450pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

117 毫欧 @ 14A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRF9540NSTRLPBF-ND
IRF9540NSTRLPBFTR

功率-最大值

3.1W

功率耗散

3.8 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

117 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

P-Channel

栅极电荷Qg

64.7 nC

标准包装

800

汲极/源极击穿电压

- 100 V

漏极连续电流

- 23 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

23A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf9540nslpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf9540nslpbf.spi

闸/源击穿电压

20 V

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