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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9540NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9540NSTRLPBF价格参考¥询价-¥询价。International RectifierIRF9540NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 100V 23A(Tc) 3.1W(Ta),110W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF9540NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9540NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF9540NSTRLPBF 是一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),常用于开关和功率控制应用。该器件具有-100V的漏源电压和-19A的连续漏极电流能力,适合中高功率场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于DC-DC转换器、电源开关和负载切换电路中,实现高效电能转换与控制。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为上桥臂开关,控制电机正反转及制动功能。 3. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)、逆变电源等设备中,配合其他MOSFET实现交流输出的切换控制。 4. 电池供电系统:适用于电池保护电路或极性反接保护电路,提供可靠的通断控制。 5. 工业控制与消费电子:如继电器驱动、LED照明调光、家电控制模块等需要低导通电阻和高可靠性的场合。 IRF9540NSTRLPBF采用TO-252(D-Pak)封装,具备良好的热性能和表面贴装兼容性,适合自动化生产。其“LPBF”后缀表示符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保。由于其高耐压、大电流能力和稳定性,该型号在工业、汽车电子和通用电源设计中被广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAKMOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 23 A |
Id-连续漏极电流 | - 23 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9540NSTRLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF9540NSTRLPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
Pd-功率耗散 | 3.8 W |
Qg-GateCharge | 64.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 64.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 117 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 117 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 117 毫欧 @ 14A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRF9540NSTRLPBF-ND |
功率-最大值 | 3.1W |
功率耗散 | 3.8 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 117 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | P-Channel |
栅极电荷Qg | 64.7 nC |
标准包装 | 800 |
汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
漏极连续电流 | - 23 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf9540nslpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf9540nslpbf.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |